СТЕКЛООБРАЗОВАНИЕ В ТРОЙНОЙ СИСТЕМЕ La2O3–As2S3–Pr6O11
Аннотация
Методами физико-химического анализа (ДТА, ДТГ, РФА, МСА) определены границы области стеклообразования в тройной системе La2O3–As2S3–Pr6O11. Установлено, что в области стеклообразования интервал концентрации охватывает со стороны As2S3–La2O3 15 мол.%, а со стороны As2S3–Pr6O11 - 13 мол.%. По нашему мнению, уменьшение области стеклообразования Pr6O11 по сравнению с La2O3 связано с кристаллической структурой оксида, т.е. с изменением координационного числа лантаноидов. В системе область прозрачного стеклообразования ограничена областью непрозрачного. Причиной непрозрачности стекла является образование в составе первичных центров кристаллизации, что было доказано результатами РФА и СЭМ. Изучен Рамановский спектр прозрачного стекла состава (La2O3)0,07(As2S3)0,90(Pr6O11)0,03. Интенсивность полос, характеризующих связи As–S, La–O, Pr–O в Рамановском спектре и сдвиг энергии волн в большую сторону, связана с увеличением прочности. При нагревании стекла состава (La2O3)0,07(As2S3)0,90(Pr6O11)0,03 в инертной атмосфере (He) при 224,61 °С происходит его размягчение, сопровождаемое эндоэффектами. Наблюдаемый при 315,80 °С экзоэффект отвечает кристаллизации стекла, а при 380,80 °С начинается термическое разложение. Образцы в области стеклообразования устойчивы при 300 К к воздуху, воде и органическим растворителям. Стекла при нагревании растворяются в хромовой смеси. Разлагаются в минеральных кислотах и щелочах.
Для цитирования:
Бахтиярлы И.Б., Фатуллаева Г.М., Керимли О.Ш. Стеклообразование в тройной системе La2O3–As2S3–Pr6O11. Изв. вузов. Химия и хим. технология. 2018. Т. 61. Вып. 4-5. С. 43-48
Литература
Vinogradova G.Z. Glassformation and phase equilibrium in chalcogenide systems. M.: Nauka. 1984. 176 p. (in Russian).
Ovshinsky S.R. Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures. Phys.Rev. Lett. 1968. V. 21. N 20. P. 1450.
Zakery A., Elliot S.R. Оптическая спектроскопия халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx. J. Non-Crystalline Solids. 2003. V. 330 (1-3). P. 1-12.
Tsendin K.D., Bogoslovskiy N.A. Physics of Switching and Memory Effects in Chalcogenide Glassy Semiconductors. Semicon-ductors. 2012. V. 46(5). P. 559–590.
Venger E.F., Melnichuk A.V., Stronskiy A.V. Photostimulating processes in chalcogenide glassy semiconductors and their practical application. Kiev: Academperiodica. 2007. 283 p. (in Russian).
Seema Kandpal, Kushwaha R.P.S. Photo acoustic spectroscopy of thin films of As2S3, As2Se3 and GeSe2. Indian Academy of Sciences. PRAMANA journal of physics. 2007. V. 69. N 3. P. 481 – 484.
Babaev A.A., Muradov P.S., Sultanov S.B., Askhabov A.M. Influence of the preparation conditions on the optical and photo-luminescent properties of glassy As2S3. Neorg. Materialy. 2008. V. 44. N11. P. 1187 – 1201 (in Russian).
Churbanov M.F., Shiryayev V.S., Suchkov A.I., Pushkin A.A. High-purity As-S-Se and As-Se-Te optical fibers. Neorg. Materialy. 2007. V. 43. N 4. P. 506 – 512 (in Russian).
Kertman A.B. Optical sulphide ceramics. Soros Obraz.Zhurn. 2000. V. 6. N 2. P. 93-98 (in Russian).
Tveryanovich Yu.S. Consentration Quenching of Luminescence of Rare-Earth Ions in Chalcogenide Glasses. Class Physics and Chemistry. 2003. V. 29. N 2. P. 166-168.
Borisov E.N., Smirnov V.B., Tveryanovich A.S. On the effect of composition on the Judd-Ofelt parameters of Sm2+-doped chalkogenide glasses. J. Non-Crystalline Solids. 2003. P. 326-327.
Fatullayeva G.M., Bakhtiyarly I.B., Kerimli O.Sh. Physical and chemical properties of glass-forming melts system La2O3-As2S3-Nd2O3. VII International scientific conference. Penza. MCNS “Science and Education”. 2017. P. 25-28 (in Russian).
Fatullayeva G.M., Bakhtiyarly I.B., Kerimli O.Sh. Physical and chemical researches of glassformation in the system As2S3-Er2O3. Zhurn. Uchen. Zapiski. 2017. N 2. P. 102-106 (in Russian).
Babanly M.B., Muradova G.V., Ilyasly T.M., Babanly D.M. The thermodynamic properties of arsenic sulfides obtained using the EMF method. Neorg. Materialy. 2011. V. 47. N 3. P. 276 (in Russian).
Lovu M., Shutov S., Popescua M., Furnissb D., Kukkonenb L. Structure and properties of As2S3 and As2Se3 Glasses modi-fied with Dy. Sm and Mn. J. Optoelectronics and Advanced Materials. 1999. V. 1. N 2. P. 15 – 24.
Lavrentyev A.A., Gabrelyan B.V., Nikiforov I.Ya. Electron electrical structure of semiconducting sulfides As2S3, AsSi, AgAsS2 and TiS2. Zhurn. Strukt. Khim. 2005. V. 46. N 5. P. 835-842 (in Russian).
Ryabukhin A.G. Crystallographic parameters of hexogonal A-La2O3, LaF3 and LaCl3. Vest. YurGU. 2009. N 23. P. 43-46 (in Russian).
Glushkova V.B. Polymorphism of oxides of rare earth elements. L.: Nauka. 1967. 133 p. (in Russian).
Bakhtiyarly I.B., Abdullayeva A.S., Fatullayeva G.M. Physical -chemical properties of glassforming alloys Nd2S3-Ga2S3-EuS and La2O3-As2S3-Eu2O3. Materials of International Sci. Conf. Tomsk: Publishing House TSU. 2015. V. 1. 235 p. (in Russian).
Fatullayeva G.M., Bakhtiyarly I.B., Kerimli O.Sh. Glassformation in the system As2S3-Pr6O11.VII International scientific conference. Moscow. Under the commonly. Red. A.V. Tugolukova. 2017. P. 173-175 (in Russian).
Bakhtiyarly I.B., Abdullayeva A.S., Aliyev A.B. Physical - chemical properties of (Ga2S3)0,60(La2S3)0,20(Sm2S3)0,20 and (Ga2S3)0,55(La2S3)0,15(Sm2S3)0,30 glasses. 1st İnternational Chemistry and Chemical Enginerring Conference. Abstracts and Pro-ceedings. Baku: Qafqaz University, Azerbaijan. 2003. P. 345-351 (in Russian).
