TY - JOUR AU - Alexander M. Efremov AU - Vladimir B. Betelin AU - Kwang-Ho Kwon PY - 2023/05/03 Y2 - 2024/03/28 TI - О СРАВНЕНИИ МЕХАНИЗМОВ РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ SiO2 И Si3N4 В ПЛАЗМЕ HBr + Ar JF - ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. СЕРИЯ «ХИМИЯ И ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ» JA - ХИХТ VL - 66 IS - 6 SE - ХИМИЯ неорганич., органич., аналитич., физич., коллоидная, высокомол. соединений DO - 10.6060/ivkkt.20236606.6786 UR - http://ctj-isuct.ru/article/view/4861 AB - Исследовано влияние соотношения компонентов в смеси HBr + Ar на электрофизические параметры плазмы, стационарные концентрации активных частиц и кинетику реактивно-ионного травления (РИТ) SiO2 и Si3N4 в условиях индукционного ВЧ (13,56 МГц) разряда. Совместное использование методов зондовой диагностики и моделирования плазмы показало, что увеличение доли аргона при постоянном давлении газа и вкладываемой мощности а) приводит к увеличению температуры электронов и концентраций заряженных частиц; б) сопровождается увеличением интенсивности ионной бомбардировки обрабатываемой поверхности; и в) вызывает близкое к пропорциональному снижение концентрации и плотности потока атомов брома. Найдено, что изменения скоростей травления SiO2 и Si3N4 от состава смеси являются качественно подобными, при этом максимальные различия их абсолютных величин имеют место в плазме чистого HBr. Проведен анализ механизмов РИТ с использованием расчетных данных по плотностям потоков ионов и атомов брома. Установлено, что доминирующим механизмом травления SiO2 является ионно-стимулированная химическая реакция, скорость которой в диапазоне 0–80% Ar остается практически постоянной за счет увеличения эффективной вероятности взаимодействия. Соответственно, заметная интенсификация физического распыления с ростом доли Ar в смеси вызывает лишь слабый рост наблюдаемой скорости РИТ. Напротив, основной вклад в процесс травления Si3N4 вносит физическое распыление, при этом скорость ионно-стимулированной химической реакции ограничивается низкой вероятностью взаимодействия. Это обеспечивает как меньшие абсолютные значения скоростей травления (особенно в области малых содержаний аргона), так и более резкую зависимость скорости РИТ от состава смеси.Для цитирования:Ефремов А.М., Бетелин В.Б., Kwon K.-H. О сравнении механизмов реактивно-ионного травления SiO2 и Si3N4 в плазме HBr + Ar. Изв. вузов. Химия и хим. технология. 2023. Т. 66. Вып. 6. С. 37-45. DOI: 10.6060/ivkkt.20236606.6786. ER -