[1]
Efremov, A.M., Betelin, V.B., Mednikov, K.A. и Kwon, K.-H. 2021. GAS-PHASE PARAMETERS AND REACTIVE-ION ETCHING REGIMES FOR Si AND SiO2 IN BINARY Ar + CF4/C4F8 MIXTURES. ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. СЕРИЯ «ХИМИЯ И ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ». 64, 6 (май 2021), 25-34. DOI:https://doi.org/10.6060/ivkkt.20216406.6377.