[1]
A. M. Efremov, V. B. Betelin, K. A. Mednikov, и K.-H. Kwon, «GAS-PHASE PARAMETERS AND REACTIVE-ION ETCHING REGIMES FOR Si AND SiO2 IN BINARY Ar + CF4/C4F8 MIXTURES», ХИХТ, т. 64, вып. 6, сс. 25-34, май 2021.