ПОДАВЛЕНИЕ СИНТЕЗА АЛМАЗА НА ТОРЦЕВОЙ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ В ПРОЦЕССЕ ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ
Аннотация
В процессе газофазного осаждения алмаз растет на всех поверхностях подложки, в том числе и на торцевых. Однако, осаждение алмаза на торцевых поверхностях может быть нежелательным для некоторых процессов и технологий. Нами предложен и реализован метод подавления роста алмаза на торцевых поверхностях с помощью кремниевых колодцев. Определены оптимальные геометрические размеры колодцев. Проведены исследования структурного качества получаемых алмазных пленок.
Литература
Blank V.D., Bormashov V.S., Tarelkin S.A., Buga S.G., Kuznetsov M.S., Teteruk D.V., Kornilov N.V., Terentiev S.A., Volkov A.P. Power high-voltage and fast response Schottky barrier diamond diodes. Diamond and Related Ma-terials. 2015. 57. P. 32–36. DOI: 10.1016/j.diamond.2015. 01.005.
Gippius A.A., Khmelnitsky R.A., Dravin V.A., Khomich A.V. Diamond–graphite transformation induced by light ions implantation. Diamond and Related Materials. 2003. N 3-7 (12). P. 538–541. DOI: 10.1016/S0925-9635(02)00291-1.
Khomich A.V., Khmelnitskiy R.A., Dravin V.A., Gippius A.A., Zavedeev E.V., Vlasov I.I. Radiation damage in dia-monds subjected to helium implantation. Physics of the Solid State. 2007. N 9 (49). P. 1661–1665. DOI: 10.1134/ S1063783407090107.
Marchywka M., Pehrsson P.E., Vestyck D.J. Jr., Moses D. Low energy ion implantation and electrochemical separa-tion of diamond films. Appl. Phys. Lett. 1993. N 25 (63). P. 3521. DOI: 10.1063/1.110089.
Tarelkin S.A., Bormashov V.S., Buga S.G., Volkov A.P., Teteruk D.V., Kornilov N.V., Kuznetsov M.S., Terentiev S.A., Golovanov A.V., Blank V.D. Power diamond vertical Schottky barrier diode with 10 A forward current. Physica status solidi (a). 2015. N 11 (212). P. 2621. DOI: 10.1002/pssa.201532213.
Yamada H., Chayahara A., Mokuno Y., Umezawa H., Shikata S., Fujimori N. Fabrication of 1 Inch Mosaic Crys-tal Diamond Wafers. Appl. Phys. Exp. 2010. N 5 (3). P. 051301. DOI: 10.1143/APEX.3.051301.
Yamada H., Chayahara A., Mokuno Y., Tsubouchi N., Shikata S.-I. Uniform growth and repeatable fabrication of inch-sized wafers of a single-crystal diamond. Diamond and Related Materials. 2013. 33. P. 27–31. DOI: 10.1016/ j.diamond.2012.12.012.
Feng T., Schwartz B.D. Characteristics and origin of the 1.681 eV luminescence center in chemical-vapor-deposited diamond films. AIP J. Appl. Phys. 1993. 73. P. 1415- 1425. DOI: 10.1063/1.353239.
