ТЕРМИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В СИСТЕМАХ Ga-MoO3
Аннотация
Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных системах Ga-MoO3 в зависимости от толщины пленок Ga (d = 2–96 нм) и MoO3 (d = 7–62 нм), температуры (473 - 773 К) и времени термообработки. Показано, что спектры поглощения систем Ga-MoO3 в коротковолновой области спектра (λ = 300–500 нм) по мере уменьшения толщины пленок галлия определяются поглощением пленок MoO3, а в длинноволновой области спектра (λ = 500–1100 нм) проявляются полосы поглощения пленок галлия. Рассчитаны, построены и сопоставлены кинетические зависимости степени превращения пленок MoO3 и галлия. Установлено, что увеличение толщины пленок MoO3 в системах Ga-MoO3 при постоянной температуре обработки приводит к уменьшению степени превращения центра [e∙(V_a )^(++)∙e] пленок MoO3, в то время как увеличение температуры при постоянной толщине пленок MoO3 способствует ее возрастанию. Показано, что скорость превращения центра [e∙(V_a )^(++)∙e] пленок MoO3 в системах Ga-MoO3 больше, чем в индивидуальных пленках MoO3. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ga, MoO3 и фото-ЭДС системы Ga-MoO3, которая соответствует положительному знаку со стороны слоя MoO3. Построена диаграмма энергетических зон систем Ga-MoO3. Предложена модель термического превращения пленок MoO3 в системах Ga-MoO3, включающая перераспределение на контакте равновесных носителей заряда, формирование в процессе приготовления пленки MoO3 центра [(V_a )^(++)∙e], преобразование его при создании систем Ga-MoO3 в центр [e∙(V_a )^(++)∙e], термический переход электрона на уровень центра [(V_a )^(++)∙e] с образованием центра [e∙(V_a )^(++)∙e].
Литература
Rakov E.G. Inorganic nanomaterials. M: Binom. 2013. 477 p. (in Russian).
Surovoi E.P., Borisova N.V. Regularities of Photostimulated Con-versions in Nanometer Aluminum Layers. J. Phys. Chem. 2009. V. 83. N 13. P. 2302–2307. DOI: 10.1134/S0036024409130202.
Surovoi E.P., Borisova N.V. Regularities in the formation of na-noscale copper-copper oxide (I) systems. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2009. V. 52. N 4. P. 54-57 (in Russian).
Surovoi E.P., Bugerko L.N., Surovaya V.E., Bin S.V. Kinetic regularities of thermal transformations in na-nosized bismuth films. Russ. J. Phys. Chem. 2012. V. 86. N 4. P. 702–709 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024412040231.
Borisova N.V., Bugerko L.N., Govorina S.P., Surovoi E.P. Study of the interaction of nanoscale copper-oxide copper (I) systems with ammonia. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2010. V. 53. N 1. P. 60-63 (in Russian).
Surovoi E.P., Eremeeva G.O. Thermally stimulated transformations of nanosized In-MoO3 systems. Neorg.. Mater.. 2013. V. 49. N 4. P. 404-409 (in Russian). DOI: 10.1134/S0020168513030205.
Eremeeva G.O., Surovoi E.P. Thermally stimulated transfor-mations in nanosized indium films. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2012. V. 55. N 12. P. 63-67 (in Russian).
Surovoi E.P., Bugerko L.N., Surovaya V.E. Kinetics of photostimulated transformations in nanosized bismuth films. Zhurn. Fizich. Khim. 2013. V. 87. N 9. P. 1565-1571 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024413090239.
Surovoi E.P., Sukhorukova A.A., Bin S.V. Regularities in the formation of nanoscale systems of cobalt-cobalt oxide. INeorg. Mater. 2014. V. 50. N 4. P. 436-441 (in Russian).
Surovoi E.P., Bugerko L.N., Surovaya V.E., Bin S.V. Kinetic regularities of thermal transformations in nanosized nickel films. Russ. J. Phys. Chem. 2014. V. 88. N 12. P. 1970-1976 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024414120358.
Surovoi E.P., Bin S.V. Surovaya V.E., Bugerko L.N. Kinetic regularities of thermal transformations in na-nosized lead films. Zhurn. Fizich. Khim. 2015. V. 89. N 1. P. 85-91 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024415010276.
Surovoi E.P., Bugerko L.N., Surovaya V.E., Zaikonni-kova T.M. Kinetic regularities in the formation of a na-noscale system of manganese-manganese oxide. Zhurn. Fizich. Khim. 2016. V. 90. N 3. P. 411–416 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024416030298.
Surovoi E.P., Bin S.V. Kinetic regularities of thermal transformations in nanosized Ni - MoO3 systems. Zhurn. Fizich. Khim. 2017. V. 91. N 2. P. 361-367 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024417020315.
Kalygina V.M., Zarubin A.N., Naiden E.P. Anode films of Ga2O3. Influence of thermal annealing on the proper-ties of films. FTP. 2012. V. 46. N 2. P. 278-284 (in Rus-sian).
Kalygina V.M., Zarubin A.N., Novikov V.A., Petrova Yu.S. Gallium oxide films obtained by the thermal depo-sition method. FTP. 2013. V. 47. N 5. P. 598-603 (in Russian).
Surovoi E.P., Sukhorukova A.A., Bin S.V. Regularities in the formation of nanoscale systems of gallium-gallium oxide. Neorg. Mater. 2014. V. 50. N 12. P. 1287-1292 (in Russian).
Surovoi E.P., Borisova N.V. Thermal transformations in na-nosized MoO3 layers. Zhurn. Fizich. Khim. 2008. V. 82. N 11. P. 2120-2125 (in Russian).
Surovaya V.E., Bugerko L.N, Surovoi E.P. Determina-tion of the work function of nanosized bismuth films and bismuth (III) oxide. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Fizika. 2014. V. 57. N 7/2. P. 173-178 (in Russian).
Pankov Zh. Optical processes in semiconductors. M.: Mir. 1973. 456 p. (in Russian).
